Андре́й Васи́льевич Горбатю́к (род. 9 мая 1946, с. Капитановка Кировоградской обл., УСCР) — советский и российский физик-теоретик, специалист по силовым полупроводниковым приборам. Лауреат Госпремии СССР (1987).

Профессиональная биография

Окончил Одесский политехнический институт (ныне Одесский национальный политехнический университет), затем аспирантуру ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР (ныне РАН) в Ленинграде.

С 1981 года работает в ФТИ им. Иоффе в лаборатории мощных полупроводниковых приборов, в настоящее время — главный научный сотрудник. Доктор физико-математических наук (2003).

С 1996 года по совместительству преподавал в Санкт-Петербургском политехническом университете. Профессор (2011).

Научная деятельность и достижения

Разработал теорию динамики и устойчивости инжекционных процессов в многослойных и интегральных полупроводниковых структурах при больших плотностях тока. Предложил физический принцип и разработал теорию реверсивно-включаемого динистора (РВД) – силового полупроводникового переключателя микросекундного диапазона. РВД был реализован при участии А. В. Горбатюка в ФТИ и стал самым мощным высоковольтным (3 кВ) полупроводниковым переключателем микросекундного диапазона (максимальный коммутируемый ток 0.3⋅10⁶ А).

Из библиографии

Автор около 90 научных публикаций^[1]. Избранные работы:

• Grekhov I. V., Gorbatyuk A. V., Kostina L. S., Korotkov S. V., Jakovtchuk N. S. Superpower switch of microsecond range // Solid-State Electronics – 1983 – vol. 26 – no. 11 – p. 1132.
• Gorbatyuk A. V., Grekhov I. V., Nalivkin A. V. Theory of quasi-diode operation of Reversely Switched Dinistors // Solid-State Electronics – 1988 – vol. 31 – no. 10 – pp. 1483-1491 (см. аннотацию).
• Slipchenko S. O., Podoskin A. A., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Gorbatyuk A. V. Model of steady-state injection processes in a high-power laser-thyristor based on heterostructure with internal optical feedback // ISBN 978-5-7422-2340-5.