23-10-2023
Алексей Евгеньевич Жуков | |
Дата рождения | |
---|---|
Место рождения | |
Страна | |
Научная сфера | |
Место работы | |
Альма-матер | |
Учёная степень | |
Учёное звание |
Алексей Евгеньевич Жуков (род. 1968) — специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008).
Родился 9 февраля 1968 года в Ленинграде.
В 1992 году — с отличием окончил кафедру оптоэлектроники факультета электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ), (в настоящее время — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет).
В 1996 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств».
В 2002 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».
В 2008 году — избран членом-корреспондентом РАН.
Трудовая и преподавательская деятельность[2]
Область научных интересов: физика полупроводников, эпитаксиальное выращивание полупроводниковых соединений, низкоразмерные гетероструктуры, полупроводниковые лазеры
Основные научные результаты:
Автор 276 опубликованных работ.
Под его руководством защищены 2 кандидатских и 1 докторская диссертации.
Жуков, Алексей Евгеньевич.