Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
31-07-2023
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)
Международное название
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры».
В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» — около 220 человек. Общее число научных сотрудников — 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.
Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года)[9]. В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН № 224 от 1 июля 2003 года). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН № 274 от 29 ноября 2005 года). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)[10]. Постановлением Президиума РАН № 262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Постановлением Президиума СО РАН № 440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.
В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).
Директора Института
чл.-корр. АН СССР, с 1984 академик А. В. Ржанов (1964—1990)
В Институте действует центр коллективного пользования «Наноструктуры»[1] Wayback Machine в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники.
ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: член-корр. РАН, профессор А. В. Латышев.
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия.
Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП» разработан в ИФП СО РАН и не имеет аналогов в РФ. Единственный упрощенный прототип этого оборудования установлен в Токийском технологическом университете в Японии. Уникальный комплекс высокотехнологичного оборудования МАССК-ИФП, входящий в состав ЦКП «Наноструктуры» при ИФП СО РАН, обеспечивает проведение диагностики и прецизионное управление атомными процессами, протекающими на поверхности кристаллов на субангстремном уровне.
↑ Руководство ИФП СО РАН (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 22 февраля 2014 года.
Общие сведения об ИФП СО РАН (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 12 сентября 2011 года.
Архивировано 2 сентября 2017 года.
Архивировано 25 декабря 2022 года.
Архивировано 23 марта 2023 года.
Архивировано 12 марта 2023 года.
Архивировано 19 сентября 2022 года.
Основные направления научной деятельности (неопр.). Дата обращения: 3 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
История Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (неопр.). Дата обращения: 3 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
История Института (неопр.). Дата обращения: 3 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
Структурная схема Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 21 ноября 2011 года.
Научные подразделения Института (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 19 апреля 2016 года.
Ссылки
Официальный сайт института Wayback Machine
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.