03-06-2023
МОП структура (Металл - Оксид - Полупроводник) — наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET — metall-oxide-semiconductor field effect transistor).
Содержание |
Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом (канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор), именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала. Англоязычное название таких приборов enhancement mode transistor.
Гораздо реже встречаются транзисторы с встроенным каналом (канал открыт при нулевом напряжении исток-затвор). Такие транзисторы в англоязычной литературе обозначаются как depletion mode transistor.
Также существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Если транзистор n-канальный:
Если транзистор p-канальный:
Существуют транзисторы с несколькими затворами.
Некоторые виды мощных переключательных транзисторов снабжаются специальным отводом от части канала с целью контроля тока через транзистор. Такой прием позволяет избежать дополнительных потерь на внешних токоизмерительных шунтах.
P-канал | ||
N-канал | ||
индуцированный канал | встроенный канал |
Следует заметить что хотя формально разделение индуцированного и встроенного каналов предусмотрено на УГО, в реальности оно не соблюдается.
В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.
При изменении входного напряжения (), изменяется состояние транзистора и
Это заготовка статьи по физике. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её. |
МОП Структура.