Группа компаний «Оптоган» является вертикально интегрированным производителем современной энергоэффективной светотехники на основе сверхъярких светодиодов (СД)^[1].

Кратко о компании

Компания Optogan Oy была основана в 2004 году в Хельсинки Максимом Одноблюдовым, Владиславом Бугровым и Алексеем Ковшом — выпускниками Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, учениками нобелевского лауреата Жореса Алфёрова. В 2008 году группу компаний «Оптоган» приобрела Группа «ОНЭКСИМ». В 2009 году было зарегистрировано ЗАО «Оптоган». Инвесторами и учредителями проекта выступили ОАО «РОСНАНО», Группа ОНЭКСИМ и ОАО «РИК». В 2010 году на заводе «Оптоган» осуществлен запуск первой линии по производству светодиодов, производительностью 30 млн штук в месяц. В настоящее время производственные мощности и исследовательские лаборатории компании расположены в Санкт-Петербурге (Россия), Хельсинки (Финляндия) и Мюнхене (Германия).

Продукция

Компания "Оптоган" производит полный спектр светодиодной продукции: чипы, белые и цветные светодиоды (СД), СД матрицы, СД системы, светильники и интеллектуальные системы освещения. Световая отдача (Люмен/Ватт) и КПД светодиодов сравнимы с люминесцентными лампами и превышают параметры ламп накаливания до 5 раз^[2]. Наработка на отказ светодиодов превышает в 6 раз^[2] тот-же параметр люминесцентных ламп. Таким образом использование СД в освещении позволяет снизить энергопотребление до 5 раз по сравнению с лампами накаливания и уменьшить до 6 раз затраты на обслуживание по сравнению с люминесцентными лампами^[3]; улучшить цветопередачу до CRI 90-95.

Технология

Группа компаний Оптоган обладает полным набором технологий в области твердотельного освещения, которые необходимы для массового производства светодиодов на основе нитрида галлия (GaN), а также изготовления ориентированных на потребителя светильников, использующих СД. Технологии Оптоган включают в себя:

• эпитаксиальный рост качественных GaN полупроводниковых наногетерогетероструктур методом газофазной эпитаксии из металлоогранических соединений (МОГФЭ);
• зонную инженерию активной области СД;
• дизайн и изготовление СД чипов;
• корпусировку СД, включая нанесение;
• поверхностный монтаж СД на печатные платы для последующего применения в СД светильниках ^[4]

Прорыв в светодиодных технологиях, использующих нитрид галлия, связан с пионерскими работами Суджи Накамуры, которые были выполнены в начале 90-х годов прошлого столетия. Технологии, разработанные и применяемые группой компаний Оптоган, характеризуются улучшенным качеством GaN гетероструктур, ^[5] патентованной эпитаксиальной структурой СД с повышенной светоизлучательной способностью, ^[6] оригинальным дизайном f-Power™ СД чипов, обеспечивающим равномерное растекание электрического тока с плотностями превышающими 300 А/см2, рабочей эффективностью светодиодов порядка 130 лм/Вт, что соответствует уровню ведущих мировых производителей в данной области. ^[7] Интеллектуальная собственность (ИС) Оптоган защищена более, чем 35 полученными и поданными патентами, в том числе, Европейским патентом EP1903619B1 ^[8] «Полупроводниковая гетероструктура и светоизлучательный диод, использующий полупроводниковую гетероструктуру» и Российским патентом No 2368030 ^[9] «Полупроводниковая подложка, полупроводниковое устройство и способ получения полупроводниковой подложки».

Сертификация

В июле 2011 года компания «Оптоган» успешно прошла сертификацию по международному стандарту ISO 9001. Результаты независимой экспертизы международного сертификационного органа подтвердили, что компания «Оптоган» имеет устойчивую материальную и техническую базу, а ее система менеджмента качества (СМК) соответствует всем необходимым международным требованиям.^[10]

Примечания