Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL^[1] — экстремальная ультрафиолетовая литография^[2]) — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитография следующего поколения (англ.). Использует свет экстремального (англ.) ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм.

Источники света

В качестве мощных источников света в ЭУФ диапазоне могут использоваться синхротроны или плазма, разогреваемая импульсом лазера или электрическим разрядом.

Оптика для EUVL

В отличие от используемой ныне литографии на дальнем ультрафиолете (на эксимерных лазерах и с проведением процесса в жидкости), EUV требует использования вакуума^[3]. В качестве оптики используются не линзы, а многослойные зеркала^[3], с отражением на основе межслойной интерференции. Маска (фотошаблон) также выполняется в виде отражающего элемента, а не просвечивающего, как в настоящее время. При каждом отражении зеркалом и маской поглощается значительная часть энергии луча, около 1/3. При использовании 7 зеркал будет поглощено около 94 % мощности луча, а значит EUL требует мощных источников.

Экпонирование фоторезиста

Ограничения метода

Экспериментальные установки

Первые экспериментальные установки совмещения и экспонирования (степперы) для EUVL были созданы в 2000 году в Ливерморской национальной лаборатории.

EUV оборудование от ASML

В таблицу сведены степперы для EUV от ASML.

Источник: ASML, International Workshop on EUVL, Maui 2010

Примечания